시지트로닉스, 차세대 반도체 'Gan 에피웨이퍼 국산화'

질화갈륨(GaN) 전력반도체 특화업체 '시지트로닉스'

 

차세대 전력 반도체용으로 주목받고 있는 GaN 화합물반도체 에피웨이퍼 소재 국산화 플랫폼을 구축

GaN 화합물반도체는 기존 실리콘 반도체보다 2~3배 이상 큰 전압을 견딜 수 있고

고온에서도 정상 작동하는 장점이 있다.

 

개발된 GaN-on-SiC 웨이퍼 제품(사진=전북대 제공)

한국나노기술원은 3세대 와이드밴드갭(WBG) 반도체 가운데 전력 반도체 특성이 탁월한 고효율 GaN 에피웨이퍼소재를 6인치 실리콘 웨이퍼에 금속유기화학기상증착법(MOCVD)으로 제작해 전량 수입에 의존하던 국내 산·학·연에 제공할 GaN on 실리콘(Si) 에피 소재를 구축

 

시지트로닉스가 개발한 GaN RF 반도체 소자 칩

국내에서 성장한 GaN on Si 에피 소재를 활용해 국내 산업체에서 전력용 FET(Field Effect Transistor) 소자를 6인치 기판으로 제작한 첫 결과로써 인핸스먼트 모드(Enhance-mode) 동작을 확인했다.

한국나노기술원은 'GaN 전력소자' 연구과제를 공동으로 수행 중인 반도체 소자 제조기업 시지트로닉스에 전력 반도체 제조용 6인치 GaN on Si 에피소재 기판을 제공해 고효율 전력변환 시스템 설계를 간소화하는 인핸스먼트 모드(E-mode) 전력 반도체 소자를 최초로 구현하는 성과를 보였다.

시지트로닉스는 기존 실리콘 반도체에 비해 고전압과 고온에서도 안정적으로 동작하고 외부 충격에도 강한 차세대 전력반도체 소자인 GaN 전력반도체 분야에 독보적 기술력을 보유

최근 전북대 최철종 반도체과학기술학과 교수팀과 함께 세계 반도체 시장의 새로운 대세로 자리매김하고 있지만 국내에선 기초 개발 단계에 머물고 있는 산화갈륨 전력반도체 신소자 개발에 성공

사업화에까지 큰 기대감을 갖게 하고 있다.